2SK3796-3-TL-E详细
IC JFET N-CH 30V 10MA SMCP
2SK3796-3-TL-E参数
包装:带卷 (TR),系列:-,不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss):1.2mA @ 10V,漏源极电压 (Vdss):30V,漏极电流 (Id) - 最大值:10mA,FET 类型:N 沟道,电压 - 击穿 (V(BR)GSS):-,不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:180mV @ 1µA,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):4pF @ 10V,电阻 - RDS（开）:200 欧姆,安装类型:表面贴装,封装/外壳:SC-75，SOT-416,供应商器件封装:SMCP,功率 - 最大值:100mW
